PRINCIPES & FONCTIONNEMENT DE L'ÉLECTRONIQUE INTÉGRÉE Tome 2

TABLE DES MATIÈRES

- Constantes Physiques
- Propriétés Électriques du Silicium : Si et du di-oxyde de Silicium : SIO2

Première partie
LA CAPACITÉ MOS

CHAPITRE 1
LA STRUCTURE MIS IDÉALE EN RÉGIME STATIQUE

1.1 Notion de travail de sortie
1.2 Évaluation de l’épaisseur de la zone perturbée au niveau de la surface
1.3 Notion d’affinité électronique
1.4 Différence de potentiel de contact
1.5 Polarisation d’une structure Métal-isolant-métal (MIM)
1.6 Polarisation d’une structure Métal-isolant-semi-conducteur (MIS)
      Zones de fonctionnement
1.7. Représentation et sens de polarisation d’une structure MIS
1.8 Étude de la répartition des charges, des champs et des potentiels
Annexe
              A-I.1 Intégration de l’équation de Poisson
              A-I.2 Exercices

CHAPITRE II
CARACTÉRISTIQUES DYNAMIQUES DE LA STRUCTURE MIS IDÉALE

II.1 Notion de charges stockées. Capacité basse fréquence (BF) et haute fréquence (HF)
II.2 Valeurs asymptotiques de la caractéristique C (V°
II.3 Impédance équivalente d’une structure MIS
II.4 Loi de variation de l’admittance tension-fréquence
II.5 Étude de la structure MIS en régime transitoire fort niveau
Annexe
           A-II.1 Expression générale de la capacité dynamique
           A-II.2 Exercices

CHAPITRE III
LA STRUCTURE MIS RÉELLE. STRUCTURE MOS ET DISPOSITIFS A TRANSFERT DE CHARGE CCD

III.1 Isolant réel
III.2 Interface réelle
III.3 Structures réelles en régime statique
III.4 Schéma équivalent de la structure MIS en zone de dépletion
III.5 Structures à transfert de charge  (Charge coupled device : CCD)

Annexe
            A-III-1 Structures Métal-isolant-semi-conducteur – semi-conducteur (MISS)
            A-III-2 Exercices

DEUXIÈME PARTIE
TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP

CHAPITRE 1
CARACTERISTIQUES DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A JONCTIONS

I.1 Notion de conductance contrôlée. Tension de pincement
I.2 Équation d’état en zone triode
1.3 Limite de pincement. Caractéristiques en zone pentode

Annexe
           A-I-1  T.E.C. à canal non uniforme
           A-I-2 Tubes à vide
           A-I-3 Exercices

CHAPITRE II
CARACTÉRISTIQUES DU TRANSISTOR MOS

II 1 Notion de canal induit. Résistance variable
II.2 Équation d’état en régime triode
II.3 Théorie approchée –Caractéristiques complètes – Différents types de MOST

Annexe
           A-II 1 Modélisation des transistors à effet de champ en zone active normale
           A-II.2 Influence de la réduction d’échelle sur les performances des transistors MOS
           A-II.3 Transistors à effet de champ haute fréquence – Transistors de puissance
           - VMOS
           - MES FET
           A-II-4 Exercices 

CHAPITRE III
UTILISATION DES COMPOSANTS ACTIFS DISCRETS

III. 1 Principes généraux des composants actifs
III. 2 Composant actif idéal
III. 3 Composant actif réel

Annexe
          A-III.1 Système bouclés – Contre réaction
          A-III.2 Classes de fonctionnement – Amplificateurs  de puissance
          A-III.3 Exercices

TROISIÈME PARTIE
CIRCUITS INTÉGRÉS MONOLITHIQUES

CHAPITRE I
TECHNOLOGIE DES CIRCUITS INTÉGRÉS

I.1 Processus principaux de fabrication
I.2 Principales filières technologiques

Annexe
           A-I-1 Epitaxie par jets moléculaires (MBE)
           A-I-2 Graphoépitaxie
           A-I-3 lithographie électronique et à rayons X
           A-I-5 Introduction aux règles d’architecture de la VLSI
           A-I-6 Exercices

CHAPITRE II
CIRCUITS INTÉGRÉS ANALOGIQUES

II.1 Circuits spéciaux élémentaires
II.2 L’amplificateur  opérationnel
II.3 Domaines d’application des circuits intégrés analogiques

Annexe
           A-II-1 Fonctions Ampli-op
           A-II-2 Exercices

CHAPITRE III
CIRCUITS INTÉGRÉS LOGIQUES

III.1 Caractéristiques des portes logiques
III.2 Logique bipolaire
III.3 Logique à MOS
III.4 Comparaison des performances
III.5 Introduction aux circuits intégrés complexes

Annexe
            A-III-1 Simulation de portes logiques à transistors bipolaires
            A-III-2 Évaluation des temps de commutation d’un inverseur MOS
            A-III-3 Exercices