PRINCIPES & FONCTIONNEMENT DE L'ÉLECTRONIQUE INTÉGRÉE Tome 3
Auteurs :
Cet ouvrage est consacré aux tendances complémentaires des tomes I et II de la microélectronique, liées au développement des matériaux semiconducteurs autres que le silicium, ainsi que les dispositifs associés.
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Rubrique :
Électricité – Électro. – Hydraulique
ISBN :
2854283031
Référence :
178
Année de parution :
1993
Cet ouvrage est consacré aux tendances complémentaires des tomes I et II de la microélectronique, liées au développement des matériaux semiconducteurs autres que le silicium, ainsi que les dispositifs associés. Il introduit dans une première partie les hétérostructures, les principes physiques électroniques et optiques sur lesquels s'appuie leur fonctionnement et leur mode d'élaboration technologique.
Dans une seconde partie, deux applications importantes des hétérostructures vers l'électronique rapide sont analysées : les structures hyperfréquences à l'état solide : diodes, transistors, MMIC ; les dispositifs émetteurs récepteurs optoélectroniques : photodiodes, DEL, diodes LASER et la connectique d'interfaçage de plus en plus présente dans les télécommunications : guides, fibres optiques coupleurs, dont la technologie prépare à l'optique intégrée.
La troisième partie est une ouverture vers les systèmes intégrés dont le développement à grande échelle doit marquer toute cette décennie, avec la génération des ASICS, où les outils de conception assistée par ordinateurs vont jouer un rôle moteur, où les simulateurs logiques et analogiques sont introduits et où la microélèctronique pénètre le monde submicronique et celui des microcapteurs et microactionneurs, élargissant ainsi le domaine des fonctions de l'électronique intégrée
| Référence : | 178 |
| Nombre de pages : | 218 |
| Format : | 17x24 |
| Reliure : | Broché |
| Rôle | |
|---|---|
| Boucher Jacques | Auteur |
| Simonne Jean | Auteur |
TABLE DES MATIÈRES
PREMIÈRE PARTIE
Compléments sur la physique des matériaux et interfaces
CHAPITRE PREMIER
Propriétés électroniques et optiques des semi-conducteurs
1.1. Le spectre électromagnétique
1.2. Comportement fréquentiel des matériaux
1.3. Transitions dans un semi-conducteur ; structures à bandes directes et
indirectes
1.4. Interaction photon-électron dans un semi-conducteur
1.5. Loi d’absorption
1.6. Emissions stimulées et spontanées
1.7. Transitions intra-bandes. Mécanisme de conduction d’ordre supérieur
CHAPITRE II
Hétérostructures
2.1. Association de matériaux pour la réalisation d’hétérostructures
2.2. Diagramme de bandes d’énergie
2.3. Caractéristique statique I(V)
2.4. Effets spécifiques des hétérostructures
2.5. Conclusion
CHAPITRE III
Technologie des matériaux et interfaces
3.1. Epitaxie en phase liquide
3.2. Epitaxie en phase vapeur
3.3. Epitaxie par jets moléculaires
3.4. Autres moyens de caractérisation physique des hétérostructures
DEUXIÈME PARTIE
Composants micro-ondes et optoélectroniques
CHAPITRE PREMIER
Structures hyperfréquences à l’état solide
1.1. Introduction
1.2. Les diodes hyperfréquences
1.3. Les transistors hyperfréquences
CHAPITRE II
Emetteurs et récepteurs optoélectroniques
2.1. Photorécepteurs
2.2. Les émetteurs de lumière
CHAPITRE III
Interfaçage
3.1. Introduction – Connectique et transmissions guidées
3.2. Lignes et guides d’onde
3.3. Circuits intégrés hyperfréquences
3.4. Fibres optiques
3.5. Guides optiques intégrés
TROISIÈME PARTIE
Systèmes intégrés
CHAPITRE PREMIER
Circuits intégrés à application spécifique
1.1. Introduction
1.2. Les différents types d’ASICs
1.3. Les outils de CAO
1.4. La simulation logique
1.5. Qualité – Testabilité
1.6. Remarque
CHAPITRE II
Modélisation et simulation analogiques
2.1. Introduction
2.2. Synthèse des modèles des transistors
2.3. Simulation non linéaire temporelle
CHAPITRE III
Evolution de la microélectronique vers la nanoélectronique et les microsystèmes
3.1. Introduction
3.2. La nanoélectronique
3.3. Les microsystèmes
Livres de l'auteur Jacques Boucher
Livres de l'auteur Jean Simonne
